IGBT/MOSFET大功率开关电路专用电容器(圆形)--电容--电源网

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IGBT/MOSFET大功率开关电路专用电容器(圆形)

详细信息

特点及用途: ☆ 金属化聚丙烯膜卷绕,无感式结构☆ 高频ESR极低,高dv/dt,能承受极高的脉冲电流,高耐压,具有良好的自愈能力☆ 外观及封装形式多样,可满足客户各种要求☆ 主要应用于IGBT/MOSFET模块突波吸收,也可用于特大电流通过的场合☆ 适用于电源设备、变频设备、超声设备、大功率开关电路技术要求: ☆ 引用标准:GB10353 IEC384-16☆ 气候类别:40/085/21☆ 额定电压:630V(400V)、1.2KV(1.0KV)、2.0KV(1.6KV)(DC)☆ 电容量范围:0.1-4.7μF☆ 电容量偏差: J(±5%), K(±10%)☆ 耐电压:1.60UR (1min)☆ 绝缘电阻:C≤0.33μF, 30000MΩ(20℃,1min) C>0.33μF, 10000MΩ·μF ☆ 损耗角正切:≤0.1% (20℃, 1KHz) 特点及用途: ☆ 金属化聚丙烯膜卷绕,无感式结构☆ 高频ESR极低,高dv/dt,能承受极高的脉冲电流,高耐压,具有良好的自愈能力☆ 外观及封装形式多样,可满足客户各种要求☆ 主要应用于IGBT/MOSFET模块突波吸收,也可用于特大电流通过的场合☆ 适用于电源设备、变频设备、超声设备、大功率开关电路技术要求: ☆ 引用标准:GB10353 IEC384-16☆ 气候类别:40/085/21☆ 额定电压:630V(400V)、1.2KV(1.0KV)、2.0KV(1.6KV)(DC)☆ 电容量范围:0.1-4.7μF☆ 电容量偏差: J(±5%), K(±10%)☆ 耐电压:1.60UR (1min)☆ 绝缘电阻:C≤0.33μF, 30000MΩ(20℃,1min) C>0.33μF, 10000MΩ·μF ☆ 损耗角正切:≤0.1% (20℃, 1KHz)